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采用ＬＰ－ＭＯＶＰＥ技术，在（００１）ＩｎＰ衬底上生长的ＩｎＡｓ／ＩｎＰ自组装量子点是无序的。为了解决这个问题，在ＩｎＰ衬底上先生长张应变的ＧａＡｓ层，然后再生长ＩｎＡｓ层，可得到有序化排列的量子点。本文对张应变ＧａＡｓ层引入使量子点有序化排列的机理进行了分析，为生长有序化、高密度，均匀性好自组装量子点提供了依据。