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介绍了在0.18μm逻辑工艺平台上全新设计的超高压锗硅异质结双极晶体管（SiGe HBT）,该器件改变了外延的一维纵向集电区,而采用了通过离子注入掺杂的＂L形＂二维集电区结构,集电区包括本征基区下方的纵向集电区和场氧底部横向集电区。该器件可在同一工艺中通过版图中横向集电区长度的变化实现不同的击穿电压,因此可制作超高压SiGe HBT,并实现不同击穿电压的超高压SiGe HBT阵列。详细阐述了该器件的制作工艺,并对器件的直流和射频性能作了系统的总结和分析。