【摘 要】
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AlN半导体通常在异质衬底上外延,生长过程中往往承受较大的晶格失配应力.基于第一性原理,研究了应变AlN表面生长基元,如Al和N原子以及Al-Nn团簇的微观生长动力学.与非应变AlN
【机 构】
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福建医科大学数理与计算机教学部基础医学院,厦门大学物理与机电工程学院福建省半导体材料及应用重点实验室,厦门理工学院光电与通信工程学院
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划（973计划）（2012CB619300）,国家高技术研究发展计划（863计划）（2014AA032608）,国家自然科学基金（11404271）,福建省教育厅科技项目B类（JB13150）
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AlN半导体通常在异质衬底上外延,生长过程中往往承受较大的晶格失配应力.基于第一性原理,研究了应变AlN表面生长基元,如Al和N原子以及Al-Nn团簇的微观生长动力学.与非应变AlN比较显示,N原子形成焓有所提升,难以形成稳定吸附;而Al原子则由活跃转为稳定吸附.通过比较不同团簇表明,Al-N3团簇结合能远低于Al-N、AlN2和Al-N4团簇,最为稳定.进一步计算不同生长氛围下形成焓差异的结果显示,应变Al-N3团簇形成焓略有提升,但总体仍呈现稳定吸附的特性.基于各生长基元在不同生长氛围下应变AlN的动
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