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用射频溅射法制备了Fe0.33／（In2O3）0.45颗粒膜。通过磁化率的测量得到铁磁一顺磁态的截止温度为50K。在10K冻结温度附近，材料由铁磁态转变为颗粒自旋结团态。在金属一半导体相变温度2．2K附近得到最大为506％的磁电阻效应，与室温自旋相关隧穿磁电阻效应完全不同，这主要源自于载流子与局域磁无序间的相互作用。外加磁场使颗粒自旋结团取向一致，增加了电子在团簇间跳跃时的迁移率，可产生显著的磁电阻效应。