【摘 要】
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用包埋法在碳/碳(C/C)复合材料表面制备了碳化硅(SiC)涂层及改性涂层。用扫描电镜观察涂层的微观形貌。从理论上探讨了涂层缺陷的形成机制,分析了改性剂对SiC涂层形貌、晶粒
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用包埋法在碳/碳(C/C)复合材料表面制备了碳化硅(SiC)涂层及改性涂层。用扫描电镜观察涂层的微观形貌。从理论上探讨了涂层缺陷的形成机制,分析了改性剂对SiC涂层形貌、晶粒尺寸的影响。结果表明:添加改性剂后,涂层晶粒变小,涂层致密,表面未出现裂纹,断面孔洞的数量减少,尺寸减小。在1773K的抗氧化性比未添加改性剂涂层的显著提高。
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