BORON PROFILING IN SILICON BY 11B（p,α）8Be REACTION AT

来源 :核技术：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Ling_Hun

【摘要】

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The reaction 11B(p,α) 8Be was used to profile boron concentration in silicide. The energy of incident proton of 2.4 MeV was selected. The samples were Ti silic

【作者】

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曹建清朱德彰杨国华刘蕙珍朱福英潘浩昌

【机构】

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ShanghaiInstituteofNuclearResearchAcademiaSinicaShanghai201800China,ShanghaiInstituteofNuclearResear

【出处】

：

核技术：英文版

【发表日期】

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1990年Z1期

【关键词】

：

BORON PROFILING Ion IMPLANTATION Boron profiling Ion implantation

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The reaction 11B(p,α) 8Be was used to profile boron concentration in silicide. The energy of incident proton of 2.4 MeV was selected. The samples were Ti silicide implanted with 80 keV and 230 keV BF2. The experimental results indicate that the behaviour

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