【摘 要】
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利用中频反应磁控溅射技术,以Zn/Al（质量比98∶2）合金靶为靶材,制备了综合性能优良的铝掺杂氧化锌（ZnO：Al,AZO）透明导电薄膜.探讨了沉积工艺对薄膜结构、电学及光学性能的影响,分
【机 构】
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中山大学太阳能系统研究所,华南理工大学理学院
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利用中频反应磁控溅射技术,以Zn/Al（质量比98∶2）合金靶为靶材,制备了综合性能优良的铝掺杂氧化锌（ZnO：Al,AZO）透明导电薄膜.探讨了沉积工艺对薄膜结构、电学及光学性能的影响,分析了AZO薄膜的刻蚀性能以及所制备的绒面结构特性.结果表明：基体温度对薄膜生长有较大的影响;采用适当的沉积温度,薄膜具有较好的晶化率,晶粒呈明显的柱状生长,晶界间结合紧密,薄膜的电阻率为4.600×10-4Ω.cm;镀膜时基体的移动速度影响薄膜的晶体生长方式,但对其沉积效率影响不大;具有择优生长特性、形成柱状
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