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本文报告了最新重要科技信息，利用外加磁场的控制布洛赫畴壁（简记BL）可产生磁化矢量复杂扭转。其中能形成一些磁化方向垂直指向膜面的小区域，称为垂直布洛赫线（或VBL）。利用这些成对的布洛赫线，可以制成存储密度极高的计算机存储器。因为信息是在布洛赫线内被编码寄存的，而不是在磁泡本身的。因此，极限信息密度可达到10^10bit/cm^2，从布洛赫线存储器中检索信息只需要约2／1000s，而目前检索信息要10s。