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利用脉冲激光沉积两步生长法在Si（111）衬底上制备了厚度为10～40nm的外延CeO2薄膜，构建了Pt／CeO2／SiMOS结构，研究了CeO2薄膜的界面及介电性能。实验发现，界面处存在的电荷对MOS结构C-V特性的测量有较大影响，采用两步生长法制备的外延CeO2薄膜在保持较大介电常数的同时有效降低了界面态密度。由等效氧化物厚度-物理厚度曲线得出CeO2薄膜的介电常数为37；根据Hill-Coleman法计算出CeO2薄膜界面态密度为10^12量级。