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合成了高稳定性蓝光主体材料9，10-二萘蒽（ADN），研究材料纯化对合成材料光电性能的影响。为进一步分析材料经升华提纯对有机电致发光器件性能的影响，以提纯前后ADN为发光层，以NPB为空穴传输层，分别制作双层器件Ⅰ（提纯前）和器件Ⅱ（提纯后），器件结构为ITO（100nm）／NPB（40nm）／ADN（30nm）／Alq3（20nm）／LiF（1nm）／Al（100nm），结果表明提纯后材料PL（Photoluminescence）光谱蓝移了2nm，半峰全宽54．2nm，与提纯前一致；杂质影响载流子注入效