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利用MOCVD外延技术生长InAs量子点材料,通过采用Sb作为表面活性剂,调节所选择InAs量子点材料的生长参数,获得了具有不同尺寸、高密度的InAs量子点材料.
用于先进太阳电池的InAs量子点材料制备与表征
【摘 要】
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利用MOCVD外延技术生长InAs量子点材料,通过采用Sb作为表面活性剂,调节所选择InAs量子点材料的生长参数,获得了具有不同尺寸、高密度的InAs量子点材料.
【机 构】
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长春理工大学
【出 处】
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太阳能学报
【发表日期】
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2004年期
【基金项目】
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高功率半导体激光国家重点实验室基金
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