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用通过MOCVD生长的未掺杂的n-Al0.3Ga0.7N制备了金属-半导体-金属(MSM)结构紫外探测器.器件在2.5V偏压时的暗电流为1pA,在6.5V偏压时的暗电流为1nA.在1V偏压下和298nm波长处,探测器的电流响应率为0.038A/W,在300nm波长处有陡峭的截止边,这与文献中介绍的AlxGa1-xN探测器在x=0.3时截止波长为300nm相一致[1].