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针对半导体薄膜厚度对器件光学特性的影响，利用金属有机物气相外延法研究了蓝宝石衬底上生长的InGaN／GaN单量子阱结构，其在室温下的的光学特性．大量实验结果表明，随着样品InGaN势阱层宽度的增加，光致发光谱的发光峰值波长出现了明显的红移现象，而且发光强度下降，谱线半高全宽展宽．通过对不同样品的透射、反射光谱研究发现，量子阱层窄的样品在波长接近红外区时出现无吸收的现象，而在阱层较宽的样品中没有发现这一现象．