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采用常压MOCVD方法在Al2O3(00.1)衬底上生长出了高质量ZnO单晶薄膜.由ZnO(00.2)面和Al2O3(00.6)面及ZnO(10.2)面和Al2O3(11.6)面X射线双晶ω/2θ衍射曲线的相对峰位,得到ZnO外延膜的晶格常数及外延层和衬底间的取向差异角.结果表明外延层和衬底在应力作用下产生了取向差和晶格畸变,并且取向倾斜方向与衬底的切割倾角方向一致;高温直接生长的样品的取向差比有低温缓冲层样品更大,晶格畸变也更严重.高温直接生长的样品弯曲半径小而应力更大;实验测量的应力值和理论计算的热应