【摘 要】
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本研究的GaN基LED外延生长方法中通过通入大量的NH3进行裂解,将N原子附着在生长的P型GaN上,在NH3进行裂解处理的同时,对生长好的P型GaN进行短暂的退火处理,让其晶格在热作用
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本研究的GaN基LED外延生长方法中通过通入大量的NH3进行裂解,将N原子附着在生长的P型GaN上,在NH3进行裂解处理的同时,对生长好的P型GaN进行短暂的退火处理,让其晶格在热作用下,得到新的规则排列,获得整齐的表面。并在低H元素浓度环境下,再次通入TEGa裂解Ga元素,使得可电离的Mg元素浓度增加。本研究方法能够减少外延层P结构的N空位,减少Mg-H键,提高P结构Mg的电离率,提高P结构的空穴,提高LED芯片发光效率。
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