【摘 要】
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原来的n-型半导体由于空气中的水和氧进入有机半导体层阻碍电子移动。日本山形大学研究人员在全球首次开发成功新型n-型有机半导体涂覆薄膜,可以形成非常均匀且致密的薄膜。
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原来的n-型半导体由于空气中的水和氧进入有机半导体层阻碍电子移动。日本山形大学研究人员在全球首次开发成功新型n-型有机半导体涂覆薄膜,可以形成非常均匀且致密的薄膜。只要选择最佳成膜条件和半导体器件的结构,就可得到3cm2/Vs以上电子移动度的有机半导体,而目前液晶电视使用的非晶
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