外延法生长金刚石薄膜场发射特性研究

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【摘要】

：

研究了外延法生长金刚石薄膜的场发射特性．金刚石薄膜用热丝CVD法生长，甲烷与氢气比例为2．5％，生长于事先电泳沉积在硅衬底的金刚石微晶上．实验数据的计算结果表明：金刚石薄膜的阂值

【作者】

：

刘丽丽邓玉福

【机构】

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沈阳师范大学物理科学与技术学院

【出处】

：

光子学报

【发表日期】

：

2009年6期

【关键词】

：

场发射金刚石外延法非晶碳 Field emission Diamond films Epitaxy method Amorphous carb

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研究了外延法生长金刚石薄膜的场发射特性．金刚石薄膜用热丝CVD法生长，甲烷与氢气比例为2．5％，生长于事先电泳沉积在硅衬底的金刚石微晶上．实验数据的计算结果表明：金刚石薄膜的阂值电压为1．8V/μm，有效功函数降低为纯金刚石颗粒的0．11倍．通过SEM、XRD和Raman等手段表征了金刚石薄膜的结构，并对其场发射机制作出理论分析．

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