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介绍了用高、低频组合电容法测量HgCdTeMIS器件钝化层界面态密度能量分布的基本原理和步骤。研究表明，自身阳极硫化＋单层ZnS对HgCdTe的表面钝化已经达到光伏焦平面器件表面钝化的各项要求。
HgCdTe MIS器件的制备及其界面电学特性的研究（下）
【摘 要】
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介绍了用高、低频组合电容法测量HgCdTeMIS器件钝化层界面态密度能量分布的基本原理和步骤。研究表明，自身阳极硫化＋单层ZnS对HgCdTe的表面钝化已经达到光伏焦平面器件表面钝化
【机 构】
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昆明理工大学光电子新材料研究所,昆明物理研究所,济南大学材料学院
【出 处】
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红外
【发表日期】
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2007年1期
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