三角翼周围非定常流动的三维涡方法数值模拟

来源 :清华大学学报(自然科学版)网络.预览 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cqufy
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
为了研究三角翼周围不可压缩流动,利用离散涡元模拟了旋涡的产生、聚集和输送过程。用Lagrange法描述离散涡元的移动,涡元的移动速度通过广义Biot-Savart公式结合快速多级子展开方法计算,粘性扩散通过粒子强度交换(PSE)法模拟。数值模拟了80°后掠角的细长三角翼在低Reynolds数不同攻角下前缘涡的发展和非对称破裂特性,通过分析“滚转”力矩在攻角增大时的变化,得出自激“滚转”振动的起振攻角为23°。 In order to study the incompressible flow around the delta wing, the generation, accumulation and transport of vortices are simulated using discrete vortices. The displacement of discrete vortex elements is described by Lagrange method. The moving speed of vortex elements is calculated by generalized Biot-Savart formula combined with fast multistage sub-expansion method, and the viscous diffusion is simulated by particle intensity exchange (PSE) method. The development and asymmetrical rupture of the leading edge vortex under the low Reynolds number of attack angles are numerically simulated for the thin delta wing with 80 ° sweep. By analyzing the change of the “roll” moment when the angle of attack increases, Get excited “roll ” vibration starting attack angle of 23 °.
其他文献
针对局部保留投影(LPP)的非监督本质,提出一种称为有监督的局部保留算法(SLPP)的线性降维方法,它同时考虑类间分离性以及 LPP 中的局部保留特性.实验结果表明 SLPP 算法较其他算法优越.线性的 SLPP 算法还可通过使用核方法扩展到非线性的情况.
部分端面抽运的混合腔板条激光器是一种新型的全固态激光器,采用这种结构,实现了高重复率调Q运转。在脉冲抽运情况下,1kHz运转时,得到脉宽4.6ns,单脉冲能量4.5mJ的激光输出。
根据光束的相干-偏振矩阵和传输理论,对部分相干平顶光束经正多边形光阑衍射的偏振特性进行了系统的研究.给出了部分相干平顶光束偏振度传输公式,并将高斯-谢尔模型光束以及
通过引入新的概念,提出了图胞映射动力系统中瞬态胞的新的分类方法,基于新的分类方法研究了动力系统中不变流形的胞映射逼近问题;并结合计算机的计算速度与内存特点,建立了完
利用FEMLAB软件模拟出在2D和3D的情况下微电磁石的电磁感应对磁场强度的影响. 因为在3D界面下不能完全将实际模型重建,采用缩小实体的方法,将缩小后的模型在2D环境下模拟,可
用HCl或HF对Re/H-ZSM-5催化剂进行了后处理,并在50~400℃用连续流动反应器研究了催化剂对环己烯加氢转化反应的影响.与HCl处理相比,HF处理显著提高了催化剂上环己烯加氢生成环
以豆腐果苷为原料,与盐酸羟胺缩合反应生成4-β-D-吡喃阿洛糖苷-苯甲醛肟(2),2与次氯酸叔丁酯发生取代反应生成4-β-D-吡喃阿洛糖苷-α-氯苯甲醛肟(3);再将3与Schiff碱通过1,
在多功能内耗仪上用自由衰减和强迫振动方法研究了不同Al含量淬火Fe-Al合金中的两个弛豫型内耗峰.结果显示:P1(180℃)和P2(340℃)两个内耗峰只出现在淬火样品的加热过程中,而
运用量子轨迹和量子Monte Carlo仿真的方法,研究耗散退相干对周期驱动的量子Harper (quantum kicked Harper, QKH)模型量子计算的影响.数值仿真结果表明,一定强度的耗散干扰
研究了直拉硅片从不同的温度线性升温(Ramping)到750℃,然后在750℃退火64h过程中的氧沉淀行为.结果表明,Ramping对硅片中氧沉淀的形成有明显的促进作用,且起始温度越低促进