论文部分内容阅读
半导体制程中的扩散炉、氧化炉、真空炉、真空镀膜等设备,因其工艺过程复杂、工艺影响因素多而带来诸多的不确定性。本文阐述的是一种基于气体分析的工艺诊断技术,该技术通过分析反应腔内气体对工艺进行实时监控,以达到工艺过程分析、减少工艺诊断时间,并最终达到提高工艺质量和减少设备停机时间的目的。
基于气体分析的工艺诊断技术
【摘 要】
：
半导体制程中的扩散炉、氧化炉、真空炉、真空镀膜等设备,因其工艺过程复杂、工艺影响因素多而带来诸多的不确定性。本文阐述的是一种基于气体分析的工艺诊断技术,该技术通过
【机 构】
：
中国电子科技集团公司第四十八研究所
【出 处】
：
电子工业专用设备
【发表日期】
：
2016年5期
其他文献
研究了变速切割及不同环境温度下定速切割对锗片翘曲度的影响。结果表明：锗单晶因其热学性能较差,在切割过程中降低热量导入晶体、提高晶体热量的导出是决定锗晶片翘曲度的重