IC器件在HBM ESD脉冲电压下的介质击穿实验研究

来源 :中国物理学会静电专业委员会第十二届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：quguangming

【摘要】

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在IC器件氧化绝缘层介质击穿物理模型的基础上,讨论了人体带电放电模型(HBMESD)中的波动电压加于氧化层上时的介质击穿.发现了氧化层上的俘获空穴密度临界值随薄膜厚度的变化

【作者】

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孙可平苗凤娟

【机构】

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上海海事大学,电磁兼容与静电研究室,上海,200135

【出处】

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中国物理学会静电专业委员会第十二届学术年会

【发表日期】

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2005年10期

【关键词】

：

静电放电 HBM模型介质击穿物理模型氧化绝缘层俘获空穴密度

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在IC器件氧化绝缘层介质击穿物理模型的基础上,讨论了人体带电放电模型(HBMESD)中的波动电压加于氧化层上时的介质击穿.发现了氧化层上的俘获空穴密度临界值随薄膜厚度的变化十分敏感,当厚度由0.010μm减少至0.003μm时,俘获空穴密度临界值由0.100C/cm2减少至0.002C/cm2.相应地,IC器件抗ESD的性能也急剧下降.

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