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室温下,采用磁控溅射方法在有机柔性衬底聚酰亚胺(PI)表面制备出ZnO:Ga透明导电薄膜,研究了薄膜的结构及光电性能,其附着性良好,电阻率为9．1×10-4Ω·cm,可见光透过率为 85％。
磁控溅射制备柔性衬底ZnO:Ga透明导电膜研究
【摘 要】
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室温下,采用磁控溅射方法在有机柔性衬底聚酰亚胺(PI)表面制备出ZnO:Ga透明导电薄膜,研究了薄膜的结构及光电性能,其附着性良好,电阻率为9．1×10-4Ω·cm,可见光透过率为 85％。
【机 构】
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江苏大学材料科学与工程学院
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2006年02期
【基金项目】
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江苏大学高级人才科研启动基金项目(04JDG023)江苏省铝基复合材料工程技术研究中心研发项目(BM2003014)
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