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基于0.18μm CMOS工艺开发了浅槽隔离（STI）场区抗总剂量辐射加固技术，采用离子注入技术使 STI/衬底界面处的 P 型硅反型阈值提高，从而增强 NMOS 器件的抗辐射能力。实验表明，加固NMOS器件在500 krad（Si）剂量点时，阈值电压无明显漂移，漏电流保持在10-12量级，其抗辐射性能明显优于非加固 NMOS器件。通过 STI场区加固工艺的研究，可有效提高电路的抗总剂量辐射能力，同时避免设计加固造成芯片面积增大的问题。