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提出采用改进的化学气相沉积（chenmical vaper deposition,CVD）方法,利用甲烷为碳源在展平的Cu箔表面直接制备双层石墨烯薄膜。通过细致研究甲烷气体流量、生长时间等参数对双层石墨烯成核密度的影响,进一步探讨双层石墨烯生长的机理和条件。研究利用扫描电子显微镜（scanning electron microscope,SEM）、光学显微镜、Raman光谱对石墨烯的表面形貌、结构和堆叠方式进行了表征,提出双层石墨烯的“高效生长时间”为双层石墨烯成核完成后到第1层石墨烯完全覆盖Cu箔之间的