【摘 要】
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制备了InP基近红外波段量子线激光器,在激光器温度特性分析中,观察到了反常的特征温度分布曲线.随着热沉温度增加,在120—180 K时,激光器阈值电流随温度升高出现下降趋势,即
【机 构】
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邯郸学院物理与电气工程系,中国科学院半导体研究所,半导体材料重点实验室,
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制备了InP基近红外波段量子线激光器,在激光器温度特性分析中,观察到了反常的特征温度分布曲线.随着热沉温度增加,在120—180 K时,激光器阈值电流随温度升高出现下降趋势,即出现了负的特征温度.分析认为负特征温度的出现是由于随温度变化载流子再分布引起的.
InP-based near-infrared band quantum wire laser was fabricated and the abnormal characteristic temperature distribution curve was observed in the analysis of the laser temperature characteristic.With the increase of the heat sink temperature, the laser threshold current decreased with the increase of temperature at 120-180 K Trend, that is, there is a negative characteristic temperature.The analysis shows that the occurrence of negative characteristic temperature is due to temperature redistribution caused by carriers.
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