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本文简述了中子辐照对ＩＧＢＴ特性的影响，给出了器件在中子辐射注量高达１０＾１３ｎ／ｃｍ＾２时的实验结果。实现发现，随着中子注量的增加，开关时间缩短，阈值电压漂移。对于所研究的注量范围，所观察的效应是由于ＩＧＢＴ少子寿命减少造成的，而不是由于有效掺杂浓度变化所致。
IGBT特性的辐照效应
【摘 要】
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本文简述了中子辐照对ＩＧＢＴ特性的影响，给出了器件在中子辐射注量高达１０＾１３ｎ／ｃｍ＾２时的实验结果。实现发现，随着中子注量的增加，开关时间缩短，阈值电压漂移。对于所研究的注量范围，所观察的效应是由
【机 构】
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西安电力电子技术研究所,西安建筑科技大学自控系
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1997年4期
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