基于InGaAs/InP雪崩光电二极管的高速单光子探测器雪崩特性研究(英文)

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kenapple1368
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报道了一种基于InGaAs/InP雪崩光电二极管、1.25GHz正弦波门控及贝塞尔低通滤波器的1.25GHz高速短波红外单光子探测器.通过调整比较电路的鉴别电平,实验研究了单光子探测器雪崩信号幅度随反向直流偏压的变化.随着鉴别电平的提高,单光子探测器的探测效率及暗计数率均呈指数衰减,而后脉冲概率先增大到一个峰值,然后减小.研究表明,为获得更高的性能,需要尽量降低单光子探测器的鉴别电平. A 1.25GHz high speed shortwave infrared single photon detector based on InGaAs / InP avalanche photodiode, 1.25GHz sine gate and Bessel low pass filter is reported.Through adjusting the discrimination level of the comparing circuit, a single As the discrimination level increases, the detection efficiency and the dark count rate of single-photon detector both decline exponentially, and then the probability of pulse increases first to a peak value, then Decrease.Research shows that in order to obtain higher performance, it is necessary to minimize the discrimination level of single photon detectors.
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