【摘 要】
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研究抛光垫表面特性有利于了解和分析硅片化学机械抛光（CMP）材料的去除机理及优化抛光垫的微观结构。使用ZYGO 5022轮廓仪、SEM等仪器研究了IC1000/SubaIV平抛光垫表面粗糙度、
【机 构】
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河南科技学院,大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金重大项目资助（50390061）
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研究抛光垫表面特性有利于了解和分析硅片化学机械抛光（CMP）材料的去除机理及优化抛光垫的微观结构。使用ZYGO 5022轮廓仪、SEM等仪器研究了IC1000/SubaIV平抛光垫表面粗糙度、表面组织结构、孔隙率、微孔深度及直径、抛光垫表面微凸峰分布形式及面积支承率,测量和计算的结果：抛光垫表面粗糙度为σp（RMS）=6.8μm,均方根粗糙度9.4μm,表面孔隙率为56%,平均孔径为36μm,平均孔深为20μm,平均孔距为43μm,微孔数量为550个/mm2,抛光垫表面微凸峰高度服从高斯分布。
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