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特定工艺条件下的器件失配程度限制了射频/模拟集成电路的设计精度和成品率.电路设计者需要精确的MOSFET失配模型来约束电路优化设计,版图设计者需要相应的设计规则来减小芯片失配.本文介绍了MOSFET失配的基本概念;回顾了MOSFET模型的研究进展及相关的版图设计技术、计算机仿真方法;总结了MOSFET失配对电路性能的影响及消除技术.最后探讨了MOSFET失配的研究趋势.