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介绍了膺配高电子迁移率材料结构和8mmPHEMT功率器件：利用窄脉冲高速I—V CAT系统测量系统，建立了8mm功率PHEMT非线性模型；应用设计软件来模拟和优化毫米波功率MMIC：通过解决研制过程中各关键工艺技术，使8mm功率PHEMT单片集成电路的投片一次成功，并给出了测得的功率单片集成电路性能为33-34dHz，P。〉100mW。