论文部分内容阅读
用电子能量色散谱（ＥＤＳ）分析了Ｎｄ＾３＾＋，Ｅｒ＾３＾＋和Ｃｒ＾３＾＋等掺杂离子在ＹＡＧ单晶光纤中的分布，实验发现：掺杂离子的分凝系数不同，其分布规律也不同，根据晶体的溶液生长理论，导出了掺杂离子分布方程，它与实验结果相符较好。
掺杂离子在LHPG单晶光纤中的分布
【摘 要】
：
用电子能量色散谱（ＥＤＳ）分析了Ｎｄ＾３＾＋，Ｅｒ＾３＾＋和Ｃｒ＾３＾＋等掺杂离子在ＹＡＧ单晶光纤中的分布，实验发现：掺杂离子的分凝系数不同，其分布规律也不同，根据晶体的溶液生长理论，导出了掺杂离子分布方程，它与实验结果相符较
【机 构】
：
浙江大学
【出 处】
：
材料研究学报
【发表日期】
：
1994年5期
【基金项目】
：
国家自然科学基金
其他文献
研究了不同组成的ＴｉＣ－Ｎｂ粉用机械合金化合成的固溶体（ＴｉｙＮｂ１－ｙ）Ｃｘ，并与电弧熔炼的（ＴｉｙＮｂ１－ｙ）Ｃｘ固溶体比较，结果表明，二者的ＸＲＤ谱及晶格常数变化完全一致。
用自制的亚微压痕仪测得了一组金属基复合材料的载荷一位移曲线，以决定纤维从基体中拔出时的滑动力，由于试件很薄，可估算得界面摩擦剪切强度。
定义脆性材料的冲击阻力为抵抗瞬态破坏的能力，它主要依赖于材料的极限应变和裂纹扩展速率，冲击阻力的倒数为脆性；提出了相对脆性的计算方法。并定义材料的抗冲击性能力强度与脆
用ＳＥＭ，ＸＲＤ和ＴＥＭ研究ＳｉＣｗ／ＬＤ２复合材料干滑动摩擦磨损规律及其组织结构的变化，结果表明：随正向载荷和滑动速度增加，材料表面发生从轻微磨损（轻微氧化磨损和高温氧化磨损）向严重磨损（磨粒损和粘差脱层）直
研究了不同时效状态的Ａｌ－Ｌｉ合金短裂纹的扩展规律，缺口曲率半径对短裂纹扩展规律的影响，在相同的时效温度下，裂纹扩展速率ｄａ／ｄＮ随时效时间增加而加快，钝缺口萌生裂纹的ｄａ／ｄＮ在缺口应力场内变化不
对能查觉和监测有毒和易燃气体的气敏元件的需求一直在增长，发展了许多新技术，ＳｎＯ２半导体元件可能有许多合科需要的性能，本文依据在Ｓｗａｎｓｅａ进行的以选择性问题为核心的工作，详细讨论了ＳｎＯ２器件。
以聚六亚甲基碳酸酯二醇（ＰＨＭＣＤ）和聚四亚甲基醚二醇（ＰＴＭＥＧ），４．４’－对二苯基甲烷二导氰酸酯（ＭＤＩ）及１．４－丁二醇（ＢＤＯ）合成线型聚碳酸酯聚氨酯，研究了其软段相的Ｔｇ，力学性能和流变特性。结果表明随ＰＨＭＣＤ含量增大，聚合物的拉伸
本文报道了Ａｌ／ＬＢ聚酰亚胺膜／Ｐ－Ｓｉ（１００）ＭＩＳ结构的Ｃ－Ｖ特性研究结果。６７层ＬＢ膜样品Ｃ－Ｖ特性近乎理想，具有负的固定电荷密度约１０＾１＾１ｃｍ＾－＾２量级，平带时滞后小于０．３Ｖ，对于ＭＩＳ隧道结，除了在－０．５－１．５Ｖ间具有反型层箝位产生的电容峰外，在－１．５－４Ｖ间还出现了另
阐述了的描隧道显微镜（ＳＴＭ）的工作原理，及其特点，总结了ＳＴＭ在金属、半导体材料的原子结构观察及表面相变等方面的主要研究成果。它包括纯金属及半导体原子结构、表面相变、表面吸附（表面
制备了纯钙钛矿相Ｐｂ（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３（ＰＦＮ）陶瓷，研究其介电性能表明，ＰＦＮ陶瓷无论退火与否都存在弥散性相变（ＤＰＴ）现象，未退火试样εｍａｘ对应的温度Ｔｍ不随测量频率变化，退火试样的Ｔｍ随频率变化，即表现出Ｔｍ频率色散现象，结合ＸＲＤ分析