【摘 要】
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以长石、透辉石、石英等为陶瓷基料掺杂石墨、碳化硅,经湿混、干燥、干压成型、快速烧结等工艺制备了复合导电材料。测定了试样的气孔率、吸水率、烧成收缩率、烧失率以及抗
【基金项目】
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国家科技型中小企业技术创新基金资助（06C26213701384）
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以长石、透辉石、石英等为陶瓷基料掺杂石墨、碳化硅,经湿混、干燥、干压成型、快速烧结等工艺制备了复合导电材料。测定了试样的气孔率、吸水率、烧成收缩率、烧失率以及抗弯强度,并分别用XRD和SEM分析晶相组成和断面显微结构,研究了碳化硅含量对复合材料电阻率的影响。实验结果表明:碳化硅的含量由1%增大到3%时,炭/陶复合导电材料的显微结构无显著变化,气孔率增大,烧成线收缩率降低,弯曲强度下降,电阻率变大;碳化硅含量由3%增大到9%时,炭/陶复合导电材料的陶瓷颗粒界面上形成一层白色碳化硅颗粒层,气孔率减小,弯曲强度增大,电阻率急剧降低;与碳化硅含量为1%的炭/陶复合导电材料相比,碳化硅含量增大到9%时,炭/陶复合导电材料孔隙率减小,弯曲强度增大,电阻率降低。
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