【摘 要】
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考虑LiF绝缘缓冲层对电子注入势垒的影响,给出了LiF/金属复合电极注入势垒的表达式;基于载流子的注入和复合过程,建立了双层有机电致发光器件发光效率的理论模型;讨论了器件
【出 处】
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中国科学(G辑:物理学 力学 天文学)
【基金项目】
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湖南省杰出青年科学基金(批准号:03JJY1008);中国博士后科学基金(批准号:2004035083);中南大学科学基金(批准号:0601059)资助项目
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考虑LiF绝缘缓冲层对电子注入势垒的影响,给出了LiF/金属复合电极注入势垒的表达式;基于载流子的注入和复合过程,建立了双层有机电致发光器件发光效率的理论模型;讨论了器件效率随电压、注入势垒、内界面势垒、有机层厚度的变化关系.结果表明:(ⅰ)当δe/δh<2时,金属/有机物(M/O)界面属于欧姆接触,当δe/δh=2时,M/O界面成为接触限制,当δe/δh=2(Φh≈0.2eV,Φe≈0.3eV)时,M/O界面存在从欧姆接触向接触限制的转变;(ⅱ)ηEL随δe′/δh′的增大而减小,但δe′/δh′>2.5(Hh′≈0.2eV,He′>0.4eV),ηEL的变化趋势变得平缓,这时载流子注入对器件的ηEL起支配作用;(ⅲ)逐渐增加Lh/L比值,较低电压下ηR呈下降趋势,较高电压下ηR则呈上升趋势.当电压超过启动电压后,对于给定的Lh/L,随电压的增大,ηEL是先增加后降低,且随着Lh/L的增加,ηEL的这种变化趋势更加明显.这些都与报道的理论及实验结果相符.
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