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随着CIS技术的发展和广泛应用,小透光率(Transmission rate,TR)的浅沟槽刻蚀得到最为广泛的应用。针对浅沟槽刻蚀,特别是小透光率的浅沟槽隔离刻蚀,研究如何在不同透光率掩模版上精确控制浅沟槽隔离刻蚀的线宽,深度,膜厚,形貌及优化缺陷的方法,主要论述了小透光率浅沟槽刻蚀工艺各关键指标的变化规律,达到稳定电性和良率的目的,该方法对大规模生产起到的巨大帮助与推进作用。