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通过控制微弧氧化时间，研究了ZAlSi12Cu2Mg1在不同氧化时间下膜层的生长过程，分析了氧化过程中正向电流密度、膜层厚度的变化。结果表明：微弧氧化阶段又分为氧化过渡阶段和氧化烧结阶段。氧化过渡阶段陶瓷层以向外生长为生；生成Al2O3非晶氧化物；氧化烧结阶段膜层以向内生长为主，此阶段膜层生长速率最快，生成Al2O3晶体和莫来石。氧化烧结阶段对陶瓷膜层的形成起重要作用，对氧化烧结阶段的控制可直接影响膜层的厚度以及膜层中Al2O3晶体含量。