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总结了一种基于射频MOSFET管的高速大电流窄脉宽半导体激光驱动源设计方法，运用PSpice对整个驱动电路进行了仿真，最后利用DE150—201N09A MOSFET管制作了面积为12cm^2的电路板，测试结果表明半导体激光器输出电流脉宽10ns左右、上升时间4ns，最大脉冲电流27A，最高重复频率可达50kHz。