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本文就硅材料物理参数与应力的关系作了研究。对不同型号的硅晶体及硅扩散层,测试了施加不同应力的情况下电阻率的变化;测试了应力状况改变时电阻率变化的情形。测量结果经微型世电子计算机处理。发现:半导体硅晶体的电阻率与应力状况有明显的对应关系;导电类型不同的硅晶体,这种关系恰好相反。文中还就实验结果作了理论分析。