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1988年末，斯坦福大学将对一类新的自由电子激光器进行初步试验。这台激光器的电子束能量为1.3亿电子伏，用来将髙能激光波长推入光谱的紫外和软X射线波段。
斯坦福大学准备试验新的存储环自由电子激光器
【摘 要】
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1988年末，斯坦福大学将对一类新的自由电子激光器进行初步试验。这台激光器的电子束能量为1.3亿电子伏，用来将髙能激光波长推入光谱的紫外和软X射线波段。
【出 处】
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激光与光电子学进展
【发表日期】
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1987年24期
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报道了一种光纤压光光学双稳态装置。利用单模光纤的光弹效应及应变效应实现了压光调制,并且完成了光学双稳实验。
本文对LiF、NaF晶体中的F_2心光致电离为F_2~ 心作了初步研究。实验表明:有F、E_2与F_3~ 心的LiF晶体用汞灯、脉冲氙灯和直流碳电弧直接照射后,均可产生F_2~ 心;有F、F_2与F_3~ 心的NaF晶体用脉冲氙灯和钨灯照射后,也可产生F_2~ 心。并对这些现象进行了讨论。本文还讨论了两步电离的效率问题,计算结果表明:提高两步电离效率的途径是寻找频率条件和功率密度都适当的光源和陷阱杂质,并给出了两步电离效率的表达式:η=k‘/(k‘ 1/τ‘).
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在激光超声可视化成像过程中,外界噪声、入射波等干扰导致了图像质量下降,造成了缺陷识别能力不足。利用局部统计滤波算法降低散斑噪声干扰,通过考察平均梯度和熵值以评估降噪效果。利用二阶微分算子对降噪后的图像进行图像增强,比较了不同微分算子的图像增强效果。提出利用罚函数方法抑制入射波对缺陷散射波的干扰,通过权重因子和正则化因子的变化考察了峰值信噪比和结构相似性的变化趋势,并与相邻波相减抑制入射波方法进行了
从增益系数、输出功率、激光效率的基本公式出发，得到了CWDF/HF化学激光器性能对光腔中F和D2/H2反应区流场参数的依赖关系。利用数值模拟结果对该关系进行了验证。给出了提高CWDF/HF化学激光器性能的F和D2/H2反应区流场参数要求，为CWDF/HF化学激光器喷管设计提供了依据。
An equal channel spacing Sagnac filter is proposed using a high-birefringent photonic crystal fiber (PCF) with birefringence square to the operation wavelength. A PCF with four smaller central air holes surrounded by larger air holes is applied in a Sagna
为提高复杂情况下目标跟踪的稳健性,提出一种自适应特征更新的目标跟踪算法。对目标提取分级深度特征和手工设计特征,通过不同线性组合方式进行多特征融合,构建多个融合特征器;对不同融合特征器进行可信度判定,选择可信度最高的融合特征作为当前帧的跟踪特征,构建位置相关滤波器,预测出当前帧的目标位置;对跟踪结果进行可靠性检测,可靠性低于阈值则启动融合特征器更新机制,加入时序信息和语义信息进行重跟踪,降低了模型的
从1962年1月末到2月，在早稻田大学、理化研究所和锦囊（Canon)照象机株式会社（公司，译注）等单位用日本自产的玻璃实现了光激射振荡。锦囊的光激射器是在东京大学生产技术研究所久保田敎授的指导下，用小原光学玻璃制作所制造的玻璃获得成功的。和红宝石的情况不同，玻璃光激射器一开始就使用了日本产的玻璃。
期刊
阐述了基于法布里珀罗干涉仪(FPI)反演中高层大气风速和温度的基本原理，研究了FPI系统传递函数及其对入射谱线的响应表达式。借鉴传统FPI反演中高层大气风速和温度的经典理论，提出一种矩阵简化算法。利用分解和近似的数学基础方法来得到系统响应表达式的矩阵形式，然后采用最小二乘法反演出大气风速和温度。仿真结果表明：当预估风速和温度偏离实际风速和温度，小于150 m/s和80 K时，反演风速和温度的误差范围在±3 m/s和±10 K内。矩阵简化算法不但保留了完整傅里叶级数描述法的精确性，而且避免了激光校准和波长变
本文提出当Wiggler磁场参数K≥2时,用高次谐波运转的储存环自由电子激光器,不仅可以得到更短波长的自由电子激光,而且比同样波长在基波运转时有更高的增益,同时所需要的初始激光强度也比同样波长在基波运转时低.给出了一种可能的实验方案.
期刊
Optical properties of excitons in strained Gax In1-xAs/GaAs quantum dot: ef fect of geometrical conf
Taking into account anisotropy, nonparabolicity of the conduction band, and geometrical confinement, we discuss the heavy-hole excitonic states in a strained GaxIn1-xAs/GaAs quantum dot for various Ga alloy contents. The strained quantum dot is considered