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次级电子倍增效应引起的输出窗失效问题往往给微波器件造成灾难性的影响,是限制微波器件功率进一步提升的瓶颈.以S波段高功率盒形窗为研究对象,针对盒形窗内无氧铜金属边界与陶瓷介质窗片相对的区域,建立了研究法向电场作用下次级电子倍增效应的Monte-Carlo模型.通过拟合这两种材料间双面次级电子倍增以及单面次级电子倍增效应的敏感曲线,对次级电子倍增发展特点进行详细分析,获得了金属与介质之间的次级电子由双面倍增向单面倍增演变的规律.