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IBM日前宣布推出被称为8HP的第四代硅锗Foundry技术，据称其性能可达到上一代技术的两倍以上。这种全新的130纳米硅锗双极互补金属氧化半导体（SiGe-BiCMOS）Foundry技术可以降低移动消费类电子产品的成本，推动高带宽无线通信的发展，并应用在放撞汽车雷达等创新应用上。
IBM推出0．13微米SiGe BiCMOS工艺
【摘 要】
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IBM日前宣布推出被称为8HP的第四代硅锗Foundry技术，据称其性能可达到上一代技术的两倍以上。这种全新的130纳米硅锗双极互补金属氧化半导体（SiGe-BiCMOS）Foundry技术可以降低移
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2005年9期
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