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本文提出了用线性余因子差分亚阀电压峰测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的新技术并进行了实验验证，详细介绍了该方法的基本原理和实验实现，得到了电应力诱生MOSFET界面陷阱和累积应力时间的关系，该方法具有普适性，可用于MOSEFT的一般可靠性研究和寿命预测。
线性余因子差分亚阈电压峰技术测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的研究
【摘 要】
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本文提出了用线性余因子差分亚阀电压峰测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的新技术并进行了实验验证，详细介绍了该方法的基本原理和实验实现，得到了电应力诱生MOSFET界面陷阱和累积
【机 构】
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北京大学微电子学研究所,美国加州大学BERKELEY分校EECS系
【出 处】
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电子学报
【发表日期】
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2002年8期
【基金项目】
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国家重大基础研究项目 (No.2 0 0 0 0 3650 1 )
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