【摘 要】
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设计了具有金属/铁电体/半导体结构的铁电场效应晶体管(FFET),并对其特性进行了仿真.结果表明,当Vg=0时,Pr和Ps/Pr的值决定了漏极电流的大小.当Pr增加时,Id随之增大.当FFET饱和
【机 构】
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南通大学杏林学院,南通大学电子信息学院
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设计了具有金属/铁电体/半导体结构的铁电场效应晶体管(FFET),并对其特性进行了仿真.结果表明,当Vg=0时,Pr和Ps/Pr的值决定了漏极电流的大小.当Pr增加时,Id随之增大.当FFET饱和极化后,Ps/Pr值增加,Id增大.FFET可以在特定极化电压(Vp=1.5 V)极化后,实现漏极电流的稳定输出,减小了Ps/Pr变化对FFET器件性能的影响.该漏极电流稳定输出时的极化电压值受到矫顽场Ec的影响,且Vp随Ec的减小而降低.
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