【摘 要】
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采用磁控溅射预制In薄膜和硫化热处理工艺制备了性能优良的β-In2S3 薄膜.应用XRD、拉曼光谱仪及UV-Vis测试仪对薄膜的品质进行了分析,并测试了薄膜的光学与电学性能.结果表
【机 构】
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盐城工学院江苏省新型环保重点实验室,河南理工大学材料科学与工程学院
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采用磁控溅射预制In薄膜和硫化热处理工艺制备了性能优良的β-In2S3 薄膜.应用XRD、拉曼光谱仪及UV-Vis测试仪对薄膜的品质进行了分析,并测试了薄膜的光学与电学性能.结果表明,溅射功率和硫化热处理温度是影响薄膜品质的主要因素,比较合适的溅射功率为100-140W,硫化热处理温度为450℃,过高的热处理温度容易在薄膜中形成缺陷,在薄膜生长过程中容易产生In5S4 杂相,相比之下,溅射气体压强对薄膜品质的影响较小,溅射气体压强可选择在0.4-0.6Pa.光学与电学性能测试结果指出,得到的β-In2S3
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