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研究了p型Al/6H-SiC肖特基二极管的基本制作工艺及其电学参数.采用电流-电压法(Ⅰ-Ⅴ)测试了肖特基二极管的理想因子n和肖特基势垒高度φb.对其基本电学参数n和φb的温度特性进行了研究,并分析了串联电阻对Ⅰ-Ⅴ特性的影响.
p型Al/6H-SiC肖特基二极管特性研究
【摘 要】
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研究了p型Al/6H-SiC肖特基二极管的基本制作工艺及其电学参数.采用电流-电压法(Ⅰ-Ⅴ)测试了肖特基二极管的理想因子n和肖特基势垒高度φb.对其基本电学参数n和φb的温度特性
【机 构】
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四川大学物理系,四川,成都,610064
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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2004年期
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