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光刻蚀技术[1]是微电子加工技术中最成功的一种, 但由于受到光学衍射等的限制, 100 nm是光刻蚀的极限, 为此人们探索了许多先进的刻蚀技术[2,3], 如超紫外线刻蚀(EUV)、软X射线刻蚀、电子束刻蚀和聚焦离子束刻蚀(FIB)等, 可制作尺寸小于100 nm的图形, 但普遍存在加工速度慢及成本高等缺点.