【摘 要】
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基于变容二极管设计了215 GHz三倍频器。为了简化结构和提高功率容量，该倍频器采用同向并联二极管对结构实现非平衡式三倍频。由于在太赫兹频段二极管的封装会影响到器件的场
【机 构】
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电子科技大学极高频复杂系统国防重点学科实验室
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基于变容二极管设计了215 GHz三倍频器。为了简化结构和提高功率容量，该倍频器采用同向并联二极管对结构实现非平衡式三倍频。由于在太赫兹频段二极管的封装会影响到器件的场分布，将传统的二极管SPICE参数直接应用于太赫兹频段的电路设计仿真存在一定缺陷。故建立了精确的二极管三维电磁模型，在非线性区域合理的设置了波端口，采用改进型场路结合仿真的方式对倍频器进行了设计。测试结果表明，该倍频器在207～226 GHz输出频率范围内，输出功率大于2 mW，最大输出功率为5.4 mW，最小变频损耗为13.1 dB。
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