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利用高压合成方法，在压力为2GPa、温度为900K的条件下，以NaN3作为添加剂，成功地合成出了Na填充型的方钴矿化合物CoSb3,X射线衍射（XRD）研究结果表明，当Na填充量达80％时，合成的Na填充型方钴矿化合物CoSb3仍为单相方钴矿结构，没有Na和NaN3等杂质峰。在室温下对不同Na填充量的样品进行了电阻率（ρ）和Seebeck系数（α）的测试，研究了不同Na填充量对样品电阻率、Seebeck系数和功率因子（α^2σ）的影响。研究结果表明：室温下，样品的电导率随Na填充量的增加而增大，Seebe