论文部分内容阅读
基于HHNEC BCD工艺,设计了一种输入电压范围为5.4~40 V,输出电压为5 V的线性稳压器。为了获得高电源电压抑制比,电路采用二级稳压结构,基于耗尽型MOS管的预稳压器将输入电压稳压到5.2 V,再使用一种输出端接2.2μF电容的低压差稳压器(二次稳压器)得到最终输出电压5 V。Hspice仿真表明,PSRR在100 k Hz以下时优于-90 d B,在1 MHz以下时优于-70 d B。