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,AlGaN-Based Deep-Ultraviolet Light Emitting Diodes Fabricated on AlN/sapphire Template
【作 者】
：
【机 构】
：
State Key Laboratory for Mesoseopic Physics, Department of Physics, Peking University, Beijing 10087
【出 处】
：
中国物理快报(英文版)
【发表日期】
：
2009年11期
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