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带隙基准源是集成电路的基本组成部分.在此对传统CMOS带隙基准源电路的分析和总结上,基于无锡上华的0.5 μm混合CMOS工艺,应用电流镜共源共栅结构的屏蔽作用,并结合一级温度补偿、电流反馈技术和运放电路,设计一款高电源抑制比、低温度系数及自偏置电压带隙基准源电路.
一种高精度自偏置带隙基准源设计
【摘 要】
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带隙基准源是集成电路的基本组成部分.在此对传统CMOS带隙基准源电路的分析和总结上,基于无锡上华的0.5 μm混合CMOS工艺,应用电流镜共源共栅结构的屏蔽作用,并结合一级温度
【出 处】
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电子器件
【发表日期】
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2009年5期
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